Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Telah dilakukan otomatisasi sistem pengukuran efek Hall untuk mengukur parameter elektronik material semikonduktor. Keakuratan sistem diuji menggunakan quad resistor dan diperoleh ketelitian sekitar 1,5%. Sistem kemudian digunakan untuk mengukur parameter elektronik film tipis Galium Nitrida (GaN) yang ditumbuhkan di atas sapphire (A1203) dengan teknik PE-MOCVD. Diperoleh bahwa mobilitas Hall tertinggi 156,19cm2N.s dan terendah 11,31cm2N.s masing-masing dicapai pads kondisi penumbuhan rasio V/1I1 162,5 dan 112,5 dengan temperatur penumbuhan 640°C. Resistivitas film dan konsentrasi pembawa muatan film masing-masing sekitar 10'2-10'3S2cm dan 10cm-1020cm';. Mobilitas sampel yang masih rendah menunjukkan bahwa kondisi penumbuhan perlu diatur supaya tercapai kondisi penumbuhan yang optimum.