Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Bahan semikonduktor GaN merupakan semikonduktor yang penting karena memiliki celah pita energi langsung (direct band gap) dengan Es P., 3,4 eV sehingga sangat potensial untuk digunakan dalam aplikasi optoelektronik seperti light emiting - diode dan laser yang bekerja di daerah biru. Dalam penelitian ini digunakan fotoluminesensi, yaitu sistem karakterisasi optik tanpa kontak dan tidak merusak bahan. Sampel disinari dengan laser He-Cd dengan X=325 nm. Berkas luminesensi yang keluar dari sampel difokuskan oleh lensa dan dianalisa monokromator selanjutnya dideteksi dengan detektor photomultiplier(PMT), dibaca oleh lock-in amplifier dan spektrum yang terukur ditampilkan oleh komputer. Analisa dari puncak-puncak fotoluminesensi menunjukan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan mempunyai energi gap sebesar 3,35 eV dan puncak yang sangat dominan terdapat pada energi di sekitar 2,8 eV dan 2,9 eV yang berkaitan dengan cacat alamiah (native defect) galium antisite (GaN) dan kekosongan nitrogen (VN). Sementara dari fotoluminesensi tidak nampak apa yang disebut yellow luminescence yaitu suatu pita lebar yang berpusat pada 2,1 eV - 2,2 eV, yang dikaitkan dengan native defect akibat kekosongari galium. Hal ini berarti menunjukan bahwa film tipis hasil deposisi adalah film tipis GaN yang kaya Galiurn.