COVER Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 1 Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 2 Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 3 Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 4 Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 5 Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
PUSTAKA Jovi Abelpiero S
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Perkembangan teknologi semikonduktor dalam memanfaatkan kecepatan transfer material dan frekuensi operasi menunjukkan stagnasi. Pengecilan ukuran mikroprosesor semakin tidak didukung oleh material semikonduktor. Kelanjutan dari perkembangan mikroprosesor adalah dengan menggunakan material spintronic yang memanfaatkan arus spin dari elektron material. (LaO)MnSb dan (LaO)MnP sebagai material semikonduktor antiferomagnetik bisa menjadi salah satu pilihan host. Kalkulasi ab-initio DFT dilakukan untuk mempelajari sifat elektronik dan magnetik (LaO)MnSb dan (LaO)MnP murni secara komputasi. Dapat dihasilkan sistem (LaO)MnP dan (LaO)MnSb yang sesuai dengan pemberian koreksi Hubbard U = 4 eV dan U = 8 eV dan memberikan error sebesar 0.769 % dan 16.29 % terhadap referensi eksperimen[42] untuk masing-masing material secara berurutan. Dihasilkan juga Mn 3d menjadi orbital dominan dalam proses transfer elektron dan hibridisasi p-d di daerah Fermi pada bagian pita valensi dalam (LaO)MnP dan (LaO)MnSb. Didapat (LaO)MnP termasuk material semikonduktor tipe-p.