Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Dalam studi ini disimulasikan pengaruh fungsi rapat keadaan celah energi terhadap karakteristik ID-VG amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT). Persamaan-persamaan transport dari TFT diselesaikan dengan metode elemen hingga. Dilakukan perumusan khusus untuk memperoleh arus drain dalam TFT. Dikaji juga pengaruh rapat keadaan celah energi di daerah ekor dan rapat keaadan tengah celah energi terhadap karakteristik ID-VG dari divais TFT. Diperoleh bahwa rapat keadaan ekor mempengaruhi arus saturasi dari arus drain. Simulasi yang dikembangkan dalam studi ini dapat mengambarkan unjuk kerja dari a-Si TFT.