Perpustakaan Digital ITB

Abstrak Telah difabrikasi divais fotoreseptor untuk korona positif dengan struktur : gelas /ZnO /i-a-SiC:H /i-a-Si:H/p-a-Si:H /Al (metalisasi), dengan menggunakan reaktor PECVD ganda. Gas sumber yang digunakan adalah gas silan (SiH 4) dan boron (B2 H6) masing-masing 10% dalam hidrogen (H2) , dan gas metan (CH4) 100%. Sebagai top passivation layer, dipilih lapisan tipis tipe-i a-SiC:H pads fraksi metan dalam silan 40% dengan celah pita optik 2,93 eV. Nilai celah pita optik tertinggi ini dipilih untuk melewatkan cahaya yang lebih banyak ke photoconductive layer. Variasi celah pita optik lapisan-i a-Si:H dari 1,7 eV sampai 1,78 eV. Lapisan-i a-Si:H dengan celah pita optik 1,78 eV diperoleh pada laju aliran SiH4 70 sccm yang selanjutnya digunakan sebagai photoconductive layer. Konduktivitas lapisan-p a-Si:H juga telah dioptimasi, dengan variasi konduktivitas gelap dari 9.11x10'"Scm' sampai 1.75x10'"Scm-l. Lapisan-p a-Si:H dengan konduktivitas terendah dipilih sebagai bottom blocking layer yang berfungsi mencegah injeksi muatan dari photoconductive layer ke elektroda (Al). Divais fotoreseptor yang difabrikasi menunjukan peluruhan tegangan permukaan, dengan tegangan permukaan maksimum 50 V.