Perpustakaan Digital ITB

Abstrak : Peralatan Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) dengan disain Baru telah berhasil dikonstruksi. Dari analisis konstruksinya diperoleh bahwa variabel keluaran laju deposisi dan komposisi atom lapisan tipis ZnO dipengaruhi oleh lima variabel kontroI yaitu suhu bubbler air, suhu bubbler metalorganic, tekanan sistem, laju aliran gas pembawa air dan laju aliran gas pembawa metalorganic. Perubahan suhu bubbler memberikan error terbesar pads variabel keluaran. Selanjutnya lapisan tipis ZnO telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat gelas Coming 7059, menggunakan sistem pereaksi (DMZ,H20) dan (DEZ,H20). Telah diperoleh laju deposisi tertinggi sebesar 10 µm/jam. Hasil ini adalah lima kali lebih bestir dari hasil yang sudah pernah dipublikasikan sebelumnya. Ditemukan pula adanya suhu transisi orientasi kristal dari (002) ke orientasi (110) pada lapisan tipis ZnO yang ditumbuhkan. Perubahan orientasi kristal ini terjadi pada suhu yang berbeda untuk kedua sistem pereaksi tersebut. Untuk sistem pereaksi (DMZ,H20) perubahan terjadi pada suhu 100 °C, sedangkan sistem pereaksi (DEZ,H20) pada suhu 120 °C.