Perpustakaan Digital ITB

Abstrak : Sel surya a-Si:H dengan lapisan-p doping-delta telah difabrikasi dengan reaktor Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ganda. Lapisan boron dideposisi dengan menggunakan gas B2H6 sebagai sumber dopan. Hasil optimalisasi lapisan boron memperlihatkan bahwa lapisan boron yang berkualitas baik diperoleh pada laju aliran gas 1,5 sccm dan tekanan deposisi 640 mTorr. Hasil karakterisasi lapisan-p dengan Spektroskopi Ultra Violet-Visible (UV-Vis) dan Fourier Transform Infrared (FTIR) menunjukkan bahwa di daerah cahaya tampak, lapisan-p doping-delta dengan reaktor PECVD ganda lebih transparan dibandingkan dengan lapisan-p doping-delta dengan reaktor PECVD tunggal dan lapisan-p doping seragam dengan reaktor (PECVD) ganda. Melalui optimalisasi lapisan boron dan lapisan-p sel surya a-Si:H doping-delta, diperoleh Voc 0,624 Volt dan Isc 1,512 mA cm 2 yang lebih baik dari sel surya a-Si:H doping seragam dengan Voc 0,258 Volt dan Isc 1,03.10-4 mA cm-2.