Abstrak :
Analisa teoritik yang didasarkan pada perhitungan numerik dengan metode elemen hingga digunakan untuk menentukan kondisi optimal penyinaran laser dalam pembuatan sel surya. Program ditulis dalam bahasa FORTRAN dan dibantu dengan perangkat lunak dari library IMSL.
Dari profil distribusi suhu ruang pada tiga lapisan pertama (AI, a-Si, isolator/konduktor), diperoleh bahwa :
1. Untuk pemotongan lapisan Al(5000A)dan a-Si (5000A) dari struktur A1(5000A)/a-Si(5000A)/isolator(27ilm)/TCO(2000A)/
gelas, digunakan penyinaran dengan laser selama 145 ns dengan rapat daya 4,8 x 107W/cm2.
2. Untuk pengelasan lapisan Al, a-Si, dan
konduktor dari struktur AI(5000A)/a-Si (5000A)/konduktor(12E..tm}/TCO(2000A)/ gelas, digunakan penyinaran dengan laser selama 120 ns dengan rapat daya 1,5 x 10 W/cm .