COVER Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 1 Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 2 Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 3 Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 4 Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 5 Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
PUSTAKA Adelya Shafira Erlyanti
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Ratnasari
» Gedung UPT Perpustakaan
Density functional theory (DFT) digunakan untuk mempelajari material ZnO dengan struktur
wurtzite. Pendekatan yang digunakan untuk mempelajari perubahan struktur elektronik dan
sifat magnetik dari sistem ZnO akibat pemberian doping Mg dan doping Fe adalah
generalized gradient approximation (GGA). Pertama, dilakukan perbandingan hasil struktur
elektronik ZnO bulk dengan menggunakan GGA dan GGA + U (U-Zn 3d = 10 eV dan U-O
2p = 7 eV). Bandgap (Eg) dari ZnO bulk adalah 0.77 dan 3.35 eV dengan menggunakan
metode GGA dan GGA + U . Hasil ini mendekati Eg hasil eksperimen (~3.36 eV) jika
menggunakan koreksi Hubbard U. Maka dari itu untuk sistem MgxZn1-xO and FexZn1-xO (x =
3.125%) digunakan metode GGA + U. Sistem MgxZn1-xO menunjukan sifat sistem yang
non-magnetik. Sifat ini muncul dengan indikasi berupa kurva simetris dari density of state
(DOS) pada keadaan elektron spin-up dan spin-down. Semakin besar konsentrasi Mg yang
digunakan, maka Eg sistem akan semakin besar. Sedangkan sistem FexZn1-xO menunjukkan
sifat ferromagnetik logam tipe-n. Sifat ferromagnetik ditunjukkan dengan kurva DOS yang
asimetris akibat kontribusi dari Fe pada orbital d. Sistem ini menunjukan sifat half-metal.
Hasil ini menunjukkan sifat magnetik dan struktur elektronik yang memiliki peluang besar
untuk mengaplikasikan sistem FexZn1-xO menjadi perangkat spintronics, DMS dan material
MgxZn1-xO menjadi perangkat sel surya, photodetector, dan lain-lain. Tetapi keberadaan
vakansi pada sistem Fe:ZnO dan Mg:ZnO tidak memberikan perubahan yang baik untuk
menunjang performa sistem untuk diaplikasikan pada perangkat elektronik.