Perpustakaan Digital ITB

Abstrak: Telah ditumbuhkan lapisan tipis silikon polikristal di atas wafer silikon dengan sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD). Gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Laju deposisi bervariasi dari 8,95 Å/s sampai 14,57 Å/s untuk temperatur substrat dari 175°C sampai 275°C pada temperatur filamen 1000°C dengan laju aliran silan 70 sccm. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan adanya puncak pada orientasi kristal , , dan . Hasil karakterisasi SEM menunjukkan kehadiran polikristalin dengan ukuran butir antara 373 Å sampai 682 Å pada orientasi kristal . Kondukivitas gelap lapisan tipis silikon polikristal yang diperoleh 1,38x10-5 S/cm sampai 1,97x10-4 S/cm. Konduktivitas gelap yang tinggi ini cukup baik diaplikasikan untuk divais TFT sebagai lapisan aktifnya.