digilib@itb.ac.id +62 812 2508 8800

STUDI PENGARUH TEMPEI ATUR PENUMBUHAN TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GAN DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PULSED LASER DEPOSITION

Penulis : HENDRI WIDIYANDARI
Kontributor / Dosen Pembimbing :
  • Pembimbing: Maman Budiman
Jenis Koleksi : Tesis
Penerbit : Teknik Elektro
Fakultas : Sekolah Teknik Elektro dan Informatika
Subjek :
Kata Kunci : Galium nitrida, Pulsed Loser Deposition, FWHM,
Morfologi.Gallium nitride, Pulsed Laser Deposition, FWHM,
Morphology..
Sumber :
Staf Input/Edit :   Irwan Sofiyan
File : 1 file
Tanggal Input : 23 Nov 2004

2002_TS_PP_WIDYA_1.pdf
PUBLIC Irwan Sofiyan

Telah ditumbuhkan film tipis GaN di atas substrat sapphire (0001) dengan teknik Pulsed Laser Deposition. Gas N2 dengan laju aliran 100 sccm digunakan untuk menjaga stoikiometri film tipis. Temperatur penumbuhan divariasi dari 650°C, 680°C sampai 700°C. Film GaN dianalisa menggunakan Difraktometer sinar-X, Profilometer Dektak IIA dan Scanning Electron Microscopy. Film tipis yang dihasilkan memberikan struktur kristal tunggal dengan orientasi (0002) dan (0004) yang menunjukkan struktur heksagonal. Pada temperatur penumbuhan 680°C memberikan nilai FWHM terkecil yaitu 0,4°. Morfologi permukaan menunjukkan penumbuhan film yang berupa pulau-pulau terisolasi

Artikel Terkait