Perpustakaan Digital ITB

Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikasi wafer SOI khususnya dalam , metoda ELTRAN dan SMARTCUT. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang balk (stress > 2x 105 N/m2) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150°C. Disisi lain proses wafer bonding didukung oleh pembentukan cluster 0-H yang dihasilkan dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H2O2:H2SO4 (1: 1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150°C(stress > 105 N/m2). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30 % untuk proses thinning pada suhu 80°C menghasilkan laju pengikisan sekitar 2.4 pm/menit dan campuran HF:H2O2 (1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikisan 0.1388 pm/menit pada suhu ruang dan 0.27 gm/menit pada suhu 100°C.