Perpustakaan Digital ITB

ABSTRAK: Telah diiakukan proses wq %r bonding yang mendukung fabrikasi wafer SOI khususnya dalam metoda ELTRAN dan SMARTCUT. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress > 2x 10 5 N/m`) dengan menggunakan aaya elektr ostatik melalui elektroda karbon yang memfiki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150° C_ Disisi lain proses wafer bonding didukung oleh pembentukan cluster O-H yang dihasilkan dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H,O,:H ISO4 (i: 1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150°C(stress > 105 N/m). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30 % untuk proses thinning pada suhu 80 °C menghasilkan laju pengikisan sekitar 2.4 pm/menit dan campuran HF:H,O, (1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikisan 0.1388 1tm/menit pada suhu ruang dan 0.27 pm/menit padasuhu 100°C.