Perpustakaan Digital ITB

Material semikonduktor dengan wide band gap memegang peranan penting dalam kebutuhan komunikasi dan komputer saat ini. Aplikasi dari wide band gap material diantaranya adalah LED (Light Emmiting Diode) dan TCO (Transparent Conductive Oxide). Material yang banyak digunakan dalam pembuatan LED adalah Gallium Nitride dengan energi band gap sekitar 3,4 eV. Sedangkan dalam pembuatan TCO material yang banyak digunakan adalah Indium Oxide dengan energi band gap sekitar 3,6 eV. Walaupun performa dari kedua material tersebut baik namun harganya sangat mahal. Sehingga saat ini penelitian banyak diarahkan kepada material yang memiliki band gap yang moderate dengan harga yang lebih murah. Material alternatif yang saat ini banyak digunakan adalah Zinc Oxide (ZnO). Hal ini dikarenakan ZnO memiliki energi band gap sebesar 3,37 eV dan tersedia melimpah di alam sehingga harga terjangkau. Selain itu dalam bentuk thin filmnya ZnO bersifat transparan sehingga dapat pula diaplikasikan untuk pembuatan TCO. Pada penelitian ini dilakukan sintesis undoped ZnO powders dan Al2O3 doped ZnO powders dengan menggunakan metode proses prekursor. Metode proses prekursor ini menggunakan pulp lokal dengan jenis Acacia Mangium. Bahan dasar yang digunakan untuk membuat undoped ZnO powders dan Al2O3 doped ZnO powders adalah menggunakan Zinc sulfate heptahydrate dan Aluminum sulfate octahydrate. Perbandingan rasio yang digunakan antara Zinc sulfate heptahydrate dengan pulp adalah 1: 0,2. Temperatur pada proses yang digunakan untuk kalsinasi adalah 500oC dan 550oC. Proses heat treatment dilakukan pada temperatur 1000 oC. Persen mol doping divariasikan pada 2,5% mol dan 5% mol Al2O3. Karakterisasi yang dilakukan adalah menggunakan FT-IR, XRD, SEM dan EIS. Nilai konduktivitas optimum yang diperoleh adalah sebesar 2,75. 10-6 S/cm dengan menggunakan 2,5% mol Al2O3 pada temperatur kalsinasi 550oC.