Perpustakaan Digital ITB

Penggunaan Carbon Nanotube (CNT) dalam photovoltaic memiliki konsekuensi yang signifikan terhadap pasar komersil sel surya. Keunikan sifat optik dan elektronik yang dimiliki menyebabkan CNT dapat diaplikasikan pada berbagai lapisan aktif sel surya, sedangkan tingginya konduktivitas serta transmittansi menyebabkan material tersebut dapat diaplikasikan sebagai elektroda transparant. Jenis serta kualitas CNT yang terbentuk ditentukan oleh katalis, metode serta parameter pendeposisiannya. Metode plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) merupakan metode deposisi CNT yang dioperasikan menggunakaan temperatur rendah. Hal tersebut menyebabkan metode ini menjadi metode yang efisien termasuk dalam skala industri. Selain efisien, proses yang mudah dalam pengoperasiannya menyebabkan metode PECVD banyak dilakukan dan terus dikembangkan. Salah satu pengembangan PECVD adalah HWC in plasma-VHF-PECVD. Tambahan hot wire in plasma turut membantu penguraian sumber gas ketika berada dalam Kawasan elektroda, sedangkan penggunaan frekuensi rf yang tinggi memungkinkan penggunaan daya yang rendah. Deposisi CNT melalui metode PECVD, membutuhkan katalis dalam proses penumbuhannya. Katalis tersebut berfungsi untuk mendekomposisi sumber karbon serta sebagai pemandu penumbuhan CNT. Deposisi katalis dilakukan melalui teknik vacuum thermal evaporation, yang merupakan metode umum pada physical vapor deposition (PVD). Dengan melakukan optimasi pada parameter massa source Ag, waktu deposisi, temperatur annealing serta waktu annealing, maka katalis berukuran 35,82 nm dapat diperoleh. Optimasi parameter pada proses deposisi HWC in plasma-VHF-PECVD juga dilakukan, diantaranya optimasi laju alir CH4, temperatur substrat serta tegangan power supply hot wire. Melalui optimasi tersebut diperoleh CNT bersifat semikonduktor terbaik pada temperatur substrat 275oC, laju alir 50 sccm serta tegangan power hot wire sebesar 4V. Melalui CNT berdiameter 56 nm, rasio IG/ID sebesar 1,114, band gap 3,14 eV. Serta menghasilkan CNT bersifat konduktor dengan band gap 0,5 eV, pada laju alir 50 sccm, temperatur substrat 275 oC serta tegangan hot wire 2,6 V. Melalui CNT dengan rasio IG/ID 1,079, dengan band gap 0,5 eV