Article Details

TEKNIK WAFER BONDING DAN ETSA SELEKTIF DALAM FABRIKASI WAFER SOI

Oleh   YUDI DARMA
Kontributor / Dosen Pembimbing :
Jenis Koleksi : Anggota
Penerbit :
Fakultas :
Subjek :
Kata Kunci : wafer bonding, cluster
Sumber :
Staf Input/Edit :  
File : 1 file
Tanggal Input : 2003-11-19 11:38:46

Generic placeholder image

wafer.pdf

PUBLIC


Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikasi wafer SOI khususnya dalam metoda ELTRAN dan SMARTCUT. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress > 2x105 N/m2 ) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150°C. Disisi lain proses wafer bonding didukung oleh pembentukan cluster O-H yang dihasilkan dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H 2 02 : H2 SO4 (l: 1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150°C(stress > 105 N/m2 ). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30 % untuk proses thinning pada suhu 80° C menghasilkan laju pengikisan sekitar 2.4 pm/menit dan campuran HF:H202 (1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikisan 0.1388 pm/menit pada suhu ruang dan 0.27 pm/menit pada suhu 100 °C.