Perpustakaan Digital ITB

Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikasi wafer SOI khususnya dalam metoda ELTRAN dan SMARTCUT. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress > 2x105 N/m2 ) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150°C. Disisi lain proses wafer bonding didukung oleh pembentukan cluster O-H yang dihasilkan dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H 2 02 : H2 SO4 (l: 1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150°C(stress > 105 N/m2 ). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30 % untuk proses thinning pada suhu 80° C menghasilkan laju pengikisan sekitar 2.4 pm/menit dan campuran HF:H202 (1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikisan 0.1388 pm/menit pada suhu ruang dan 0.27 pm/menit pada suhu 100 °C.