COVER TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania BAB 1 TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania BAB 2 TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania BAB 3 TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania BAB 4 TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania BAB 5 TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania DAFTAR TB. M. Yusuf Yuda Prawira
PUBLIC Rina Kania
Sel Surya CZTS merupakan salah satu dari enam jenis sel surya yang termasuk
kedalam kategori emerging solar cell karena material penyusunnya yang berlimpah
di alam. Material penyusun sel surya CZTS terdiri dari tembaga (Cu), seng (Zn),
timah (Sn), dan Sulfur (S). Terdapat dua lapisan utama pada sel surya CZTS yaitu
absorber dan lapisan buffer. Lapisan absorber merupakan material CZTS yang
berfungsi sebagai semikonduktor tipe-p. Lapisan buffer yang biasanya
menggunakan CdS berfungsi sebagai semikonduktor tipe-n. Lapisan buffer sel
surya CZTS saat ini masih mengandung kadmium (Cd) yang merupakan material
berbahaya dan beracun sehingga diperlukan material lain yang memiliki performa
serupa untuk menggantikan CdS.
Pada penelitian ini, ZTO (Zinc-Tin-Oxide) digunakan sebagai lapisan pengganti
CdS pada lapisan buffer sel surya CZTS. Penelitian dilakukan untuk memperoleh
sifat optik dan elektrik pada ZTO dengan memvariasikan Zn dan Sn dengan metode
sol-gel. Lima variasi yang digunakan yaitu 1:19, 3:7, 1:1, 7:3, dan 19:1. Pada uji
UV-Vis diperoleh bahwa tidak terjadi perubahan signifikan terhada band gap
dengan adanya variasi yaitu berkisar 3.7 – 3.9 eV. Kemudian pada uji XRD
didapatkan bahwa ZTO merupakan material amorf dengan terdapat terdapat puncak
pada sudut 33?. Pada pengujian SEM diperoleh hasil bahwa konsentrasi Zn dan Sn
pada ZTO mempengaruhi porositas yang terjadi pada material tersebut.
Untuk memastikan bahwa ZTO yang akan digunakan sebagai lapisan buffer
merupakan semikonduktor tipe-n, maka dilakukan pengujian tipe semikonduktor
dengan menggunakan gas pereduksi yaitu CO. Dari pengujian ini diperoleh bahwa
semikonduktor tipe-n hanya pada variasi Zn:Sn = 1:19 dan variasi lainnya
menunjukan semikonduktor tipe-p. ZTO tipe-n ini kemudian dilakukan pengujian
performa dan diperoleh efek dioda pada kurva IV. Hal ini menunjukan bahwa ZTO
(Zn:Sn = 1:19) memiliki potensi untuk dikembangkan menjadi lapisan buffer pada
sel surya CZTS kedepannya