ABSTRAK Megah Derlian Salu
Terbatas Irwan Sofiyan
» ITB
Terbatas Irwan Sofiyan
» ITB
COVER Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 1 Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 2 Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 3 Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 4 Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
BAB 5 Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
PUSTAKA Megah Derlian Salu
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Terbatas  Irwan Sofiyan
» Gedung UPT Perpustakaan
Kerugian akibat kegagalan produksi pada industri semikonduktor yang disebabkan
oleh ketidaksesuaian ketebalan lapisan tipis photoresist di atas permukaan wafer
merupakan latar belakang dibuatnya sistem pengukuran lapisan tipis ini. Sistem ini
menggunakan algoritma Rotating-Analyzer Ellipsometry (RAE).
Mikrokontroler ESP32 akan membaca sinyal intensitas berupa tegangan output dari
detektor untuk diolah secara digital hingga menghasilkan nilai ketebalan dari sample
yang diukur. Sinyal tersebut merupakan sinyal sinusoidal sebagai fungsi dari sudut
analisator. Sistem ini dapat melakukan pengukuran dengan sangat cepat karena hanya
membutuhkan data intensitas dari 1 optical cycle atau ½ rotasi mekanik analisator (A
= 0° hingga A = 180°). Sinyal intensitas dari satu optical cycle tersebut akan digunakan
untuk menghitung parameter ellipsometri (? dan ?). Dengan mengetahui nilai ? dan
?, maka nilai ketebalan sampel juga dapat ditentukan.