Perpustakaan Digital ITB

Pada industri semikonduktor, ketebalan lapisan photoresist ketika proses fotolitografi berperan penting untuk menentukan kegagalan dalam manufaktor IC. Ketebalan lapisan ini menjadi penting karena pada tahap penambahan doping ion, photoresist yang terlalu tipis akan mengakibatkan penggerusan daerah yang tidak terkena doping atau sebaliknya. Permasalahan di atas terjadi karena beberapa faktor, salah satu faktor tersebut adalah ketebalan photoresist. Ketebalan yang tidak memenuhi spesifikasi proses manufaktur IC akan mengakibatkan wafer yang diproses dengan litografi bisa jadi gagal dan terpaksa harus dibuang. Dari Pemaparan tersebut, sistem pengukuran ketebalan lapisan tipis photoresist dengan konsep RAE dapat menjadi salah satu solusi untuk menyelesaikan masalah tersebut. Dalam perancangan sistem pengukuran ketebalan lapisan tipis photoresist dibutuhkan sistem Instrumentasi. Didalam sistem tersebut terdapat sistem pengondisi sinyal untuk meneruskan sinyal fisis kebentuk sinyal digital agar dapat diterima oleh perangkat pengolah sinyal. Dalam perancangan dan implementasi dari sistem ini menggunakan sensor fotodioda untuk menangkap sinyal fisis yang berupa sinyal intensitas cahaya kemudian diteruskan oleh rangkaian pengondisi sinyal untuk diterjemahkan dalam bentuk sinyal analog. Perancangan sistem pengukran ketebalan lapisan tipis photoresist mengunakan konsep Rotating-Analyzer Ellipsometer (RAE) Selain rangkaian pengondisi sinyal bagian yang penting adalah rangkaian driver laser, driver motor, dan rangkaian supplai daya.