Perpustakaan Digital ITB

Telah dilakukan karakierisasi I-V dan Hall pada film tipis GaSb yang ditumbuhkan dengan metode M.00VD menggu.nakan precusor TMGa dan TDMASb. Film tipis tersebut dimetalisasi dengan logam Agar menggunakan Evaporator. Telah berhasil dibuktikan bahwa kontak Ag dengan semikonduktor GaSb memiliki kontak ohinik dan sifat listrik yang balk. Terlihat bahwa pada film tipis GaSb dengan mobilitas tinggi dan konsentrasi cukup, mekanisme transpor sesuai dengan teori emisi termionik. Telah terbukti juga bahwa proses annealing film tipis GaSb pada suhu 200 °C dalarn lingkungan nitrogen berhasil menurunkan resistansi kontak spesifik. Pada studi ini lahir hipotesa tentang parameter khusus untuk mendapatkan film tipis GaSb tanpa doping dengan mobilitas tinggi bertipe-p atau n.