129 Bab V Kesimpulan Dinamika muatan pada berbagai material antiferromagnetik berbasis unsur logam transisi 3d telah dikaji secara sistematis. Material yang dikaji antara lain β-NaFeO 2, La 1,67Sr0,33O4, dan Mn3Sn. Kesimpulan yang diperoleh dari penelitian ini antara lain: 1. Keberadaan atom Na pada posisi Fe menurunkan distorsi pada struktur lokal dan meningkatkan interaksi antiferromagnetik pada material NFO. Penurunan distorsi ditandai dengan perubahan sudut ikatan tetrahedral menuju nilai ideal dan pergeseran frekuensi vibrasi Raman ke nilai lebih besar. Peningkatan kekuatan interaksi antiferromagnetik ditunjukkan oleh hilangnya fase IT dan peningkatan temperatur Neél. Pengukuran magnetisasi mengidentifikasi adanya struktur momen magnetik canting pada tiga arah kristal. Hasil analisis data struktur dan magnetisasi menunjukkan bahwa sifat magnetik material NFO dapat dijelaskan berdasarkan interaksi superexchange antara atom Fe melalui atom O. 2. Pengukuran konstanta dielektrik material NFO menunjukkan adanya respon humiditas, batas bulir, dan elektrode kontak di temperatur ruang. Fenomena ini disebabkan oleh adanya dinamika H + dan OH - di batas bulir sampel. Sedangkan pengukuran konstanta dielektrik pada kristal tunggal tidak menunjukkan adanya sifat ferroelektrik. Hal ini juga didukung oleh pengukuran polarisasi listrik yang tidak menunjukkan kurva histeresis. Sebaliknya, penelitian ini menunjukkan bahwa material ini adalah pyroelectric. 3. Dinamika muatan pada fase SDW di kristal tunggal LS3NO dapat diamati menggunakan spektroskopi dielektrik. Teknik pengukuran yang lebih sederhana ini dapat memberikan informasi fisis tambahan yang melengkapi pengukuran difraksi neutron maupun spektroskopi sinar-x. Analisis respon dielektrik bagian intrinsik menggunakan CPE menunjukkan bahwa dinamika muatan pada material ini dipengaruhi oleh ketidakhomogenan ruang yang dibentuk oleh puddles SDW. Hasil penelitian ini menunjukkan bahwa teknik ini dapat digunakan untuk mengidentifikasi respon dielektrik dari berbagai fase keteraturan elektronik lainnya pada material-material sejenis. 130 4.