119 Bab V Kesimpulan dan Saran V.1 Kesimpulan Lapisan tipis ZnO telah berhasil ditumbuhkan pada substrat n-Si(100) dengan metode AA-MOCVD menggunakan prekursor zinc acetate dihydrate (Zn[ac] 2) pada rentang nilai temperatur substrat sebesar 200 °C hingga 400 °C. Lapisan tipis ZnO tumbuh dengan struktur polikristal fase heksagonal wurtzite (P63mc). Preferensi orientasi bidang kristal lapisan tipis ZnO berubah dari arah bidang (100) pada temperatur substrat 200 °C hingga 300 °C, menjadi arah bidang (101) pada temperatur 350 °C, dan menjadi arah bidang (002) pada temperatur 400 °C. Kristalinitas dan ukuran kristalit dari lapisan tipis ZnO meningkat seiring dengan peningkatan nilai temperatur substrat. Pengaruh dari temperatur substrat membuat konstanta kisi = dan . dari kristal ZnO mengalami penyusutan mendekati nilai parameter kisi kristal ZnO dalam bentuk bulk. Temperatur substrat dapat mempengaruhi bentuk dan susunan butiran kristal serta morfologi permukaan dan penampang lintang lapisan tipis ZnO. Pada temperatur 200 °C dan 250 °C, lapisan tipis ZnO memiliki morfologi permukaan dengan butiran kristal berupa campuran bentuk bulat dan serat-serat pendek yang tersusun padat. Pada temperatur 300 °C, lapisan tipis ZnO memiliki bentuk butiran trapezoid yang tersusun bertumpuk sehingga membentuk morfologi permukaan yang berpori. Sedangkan pada temperatur 350 °C dan 400 °C, lapisan tipis ZnO memiliki permukaan yang relatif lebih halus dan rata sebagai akibat dari bentuk butiran granular yang tersusun lebih padat. Sementara itu, morfologi penampang lintang lapisan tipis ZnO pada temperatur 200 °C dan 250 °C membentuk struktur lapisan yang padat. Pada temperatur 300 °C dan 350 °C, lapisan tipis ZnO memiliki struktur morfologi batang kolumnar, dan pada temperatur 400 °C membentuk struktur susunan granular. Perbedaan bentuk morfologi susunan butiran kristal ini dapat dijelaskan melalui model penumbuhan metode AA- MOCVD yang dikaitkan dengan komposisi uap prekursor dan partikel aerosol yang terlibat dalam proses penumbuhan lapisan tipis ZnO. Komposisi atom dari lapisan tipis ZnO yang ditumbuhkan terdiri dari atom Zn, O, C dan Au. Atom C hadir sebagai pengotor dalam lapisan tipis akibat proses dekomposisi 120 termal yang tidak sempurna dari gugus molekul asetat dalam prekursor Zn. Konsentrasi atom C dalam lapisan tipis ZnO berkurang seiring dengan temperatur substrat yang semakin besar hingga atom C hilang pada temperatur substrat 400 °C. Perbandingan komposisi atom Zn dan O lebih dari 1:1 yang menunjukkan terbentuknya cacat vakansi oksigen dan interstisial zinc dalam lapisan tipis ZnO Lapisan tipis ZnO dengan temperatur substrat 200 °C hingga 400 °C memiliki jenis konduktivitas tipe-n. Nilai resistivitas dan mobilitas Hall dari lapisan tipis ZnO didoping Li meningkat seiring dengan peningkatan temperatur substrat yang dapat dikorelasikan dengan peningkatan kristalinitas lapisan tipis ZnO yang menyebabkan berkurangnya cacat kristal dan batas antar butiran kristal pada kristal ZnO. Dari hasil penumbuhan lapisan tipis ZnO dengan variasi nilai temperatur substrat, nilai temperatur substrat yang optimal untuk penumbuhan lapisan tipis ZnO didoping Li yaitu 400 °C. Lapisan tipis ZnO didoping Li telah berhasil ditumbuhkan pada substrat Si(100) dengan metode AA-MOCVD menggunakan prekursor zinc acetate dihydrate sebagai prekursor Zn dan lithium acetylacetonate sebagai prekursor doping Li dengan rentang konsentrasi doping sebesar 0 hingga 20 mol%. Lapisan tipis ZnO didoping Li tumbuh dengan struktur polikristal heksagonal wurtzite dengan preferensi orientasi kristal dalam arah bidang (002). Lapisan tipis ZnO didoping Li mengalami penurunan tingkat kristalinitas saat diberi konsentrasi doping Li hingga sebesar 15 mol%. Distorsi pada struktur kristal ZnO akibat dari inkorporasi ion Li dalam matriks kristal ZnO. Inkorporasi ion Li dapat berupa substitusional dan interstisial Li. Pada konsentrasi doping Li sebesar 5 hingga 15 mol% inkorporasi Li didominasi oleh Li substitusional yang diindikasikan dari penyusutan nilai konstanta kisi kristal ZnO.