Path: Top » Member » mudjiono@cyberlib.itb.ac.id

RANCANG BANGUN SISTEM KARAKTERISASI IMPURITAS TINGKAT DALAM PADA BAHAN SEMIKONDUKTOR DENGAN METODE DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (DLTS)

Master Theses from / 2006-09-25 13:12:57
Oleh : Abdurrouf, S2 - Physics
Dibuat : 2000-00-00, dengan 1 file

Keyword : "

sistem karakterisasi,imputisasi tingkat dalam,pada bahan semikonduktor,metode deep level transient spectroscopy.



Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) adalah salah satu model karakterisasi tingkat dalam pada bahan semikonduktor dengan parameter terukur meliputi energi, konsentrasi, dan tampang lintang perangkap. DLTS didasarkan atas pengamatan gejala transien yang dilakukan pada berbagai temperatur. Sempitnya waktu transien, kecilnya perubahan besaran terukur, lebarnya rentang temperatur, serta waktu pengukuran yang lama menyebabkan DLTS tidak dapat dilakukan secara manual. Saat ini telah berhasil dirancang sistem DLTS berdasarkan transien kapasitansi yang sepenuhnya dapat dikendalikan dari komputer. Sistem tersebut juga dapat dipakai untuk pengukuran C-V.





Sistem yang dirancang telah dipakai untuk mengukur dua macam sampel GaAs (yang berbeda) yang dimetalisasi dengan Au dan Al. Hasil pengukuran untuk sampel GaAs-Au adalah ditemukannya deep level pada energi ET = 0.4037 eV dengan tampang lintang = 5.0507 Mb dan konsentrasi NT = (2.62E0.9) 1016 cm'. Tingkat ini diidentifikasi sebagai EB6 (0.41 eV). Dengan cara yang sama, diperoleh deep level untuk GaAs-Al pada ET = 0.4961 eV (cukup dekat dengan EB5 0.48 eV) dengan 6 = 378 Mb dan NT = (4.0+1.9) 1014 cm-3.




Secara kualitatif, kinerja sistem cukup baik. Meskipun demikian hasil kuantitatif masih dapat ditingkatkan dengan perbaikan teknik sampling, teknik pendinginan, serta teknologi pembuatan devais sampel.



Deskripsi Alternatif :

Abstract :



Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) is a technique to determine deep level impurities on semiconductor material. It measures parameters including energy level, trap concentration, and cross section. DLTS technique based on observation of transient phenomenon of charge trapping and filling on varied temperatures. Due to short time transient, small change of measured parameter, broad temperature range, and required long measurement time, DLTS technique is well performed on computer based system. DLTS system has been succesfully designed and constructed and this system can also be used for C-V measurement.





The system was applied for DLTS measurement of GaAs Schottky diode. The Schottky contact used were gold and aluminum. The deep level of GaAs/Au sample located at on energy ET = 0.4037 eV with cross section at a = 5.0507 Mb and concentration NT = (2.6+0.9) 1016 cm This level is identified as EB6 (0.41 eV). Similarly, the deep level of GaAs/Al sample is at ET = 0.4961 eV (closed to EB5 0.48 eV) with a = 378 Mb and NT = (4.0+1.9) 10'4 cm'.





The system operates quite well , although, for better result need further improvement, especially on sampling technique, device under test preparation, and cooling system.




Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID Publisher
OrganisasiS2 - Physics
Nama KontakDrs. Mahmudin, SIP.
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon022 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOdigilib@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Pembimbing :
    Pepen Arifin,Ph.D.

    Scan :
    Mudjiono
    (25-09-2006)

    , Editor: mudjiono@

Review...