Path: TopGray LiteraturesSStudents1999

Optimasi celah pita optik lapisan tipis silicon amorf terhidrogenasi dan paduannya untuk aplikasi divais optoelektronik

Proceeding from JBPTITBPP / 2007-02-14 18:47:03
Oleh : J.D. Malago, Lab. Electronic Material Physics/ Dept. Physics - ITB (fismatel@indo.net.id)
Dibuat : 2001-06-20, dengan file

Keyword : a-Si.: H, Celah pita optik, CH4, konduktivitas, SiH4, PECVD

Celah pita optik (optical bandgap) lapisan tipis silicon amorf terhidrogenasi (a-Si.: H) sebagai fungsi dari laju aliran silan (SiH4) dan celah pita optik lapisan tipis silicon amorf karbida terhidrogenasi (a-Si.: H) sebagai fungsi dari fraksi gas metan (CH4) dalam SiH4 yang ditumbuhkan dengan teknik plasma – CVD telah dihitung dengan metoda tauc plot. Gas SiH4 10% dalam hydrogen (H2) dan gas CH4100% telah digunakan sebagai sumber gas. Optical bandgap lapisan tipis a-Si.: H bervariasi dari 1.70 eV – 1.95 eV untuk variasi laju aliran gas SiH4 50 sccm – 110 sccm. Celah pita optik lapisan tipis a-Si.: H bervariasi dari 1.90 eV – 2.16 eV untuk variasi fraksi gas Celah pita optik dalam SiH4 0% - 43% pada laju aliran SiH4 100 sccm, dan 1.7 eV – 2.92eV untuk variasi gas CH4 dalam SiH4 0% – 40% pada laju aliran gas SiH4 50 sccm. Dari hasil optimasi celah pita optik ini menunjukkan bahwa material ini baik untuk diaplikasikan pada divais optoelektronik.

Keywords:

Deskripsi Alternatif :

Celah pita optik (optical bandgap) lapisan tipis silicon amorf terhidrogenasi (a-Si.: H) sebagai fungsi dari laju aliran silan (SiH4) dan celah pita optik lapisan tipis silicon amorf karbida terhidrogenasi (a-Si.: H) sebagai fungsi dari fraksi gas metan (CH4) dalam SiH4 yang ditumbuhkan dengan teknik plasma – CVD telah dihitung dengan metoda tauc plot. Gas SiH4 10% dalam hydrogen (H2) dan gas CH4100% telah digunakan sebagai sumber gas. Optical bandgap lapisan tipis a-Si.: H bervariasi dari 1.70 eV – 1.95 eV untuk variasi laju aliran gas SiH4 50 sccm – 110 sccm. Celah pita optik lapisan tipis a-Si.: H bervariasi dari 1.90 eV – 2.16 eV untuk variasi fraksi gas Celah pita optik dalam SiH4 0% - 43% pada laju aliran SiH4 100 sccm, dan 1.7 eV – 2.92eV untuk variasi gas CH4 dalam SiH4 0% – 40% pada laju aliran gas SiH4 50 sccm. Dari hasil optimasi celah pita optik ini menunjukkan bahwa material ini baik untuk diaplikasikan pada divais optoelektronik.

Keywords:


Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
OrganisasiL
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • T. Winata; M. Barmawi, Editor: