Path: Top > S1-Final Project > Material Engineering-FTMD > 2008

SINTESIS DAN KARAKTERISASI ELEKTRO KONDUKTIVITAS DARI ZnO POWDERS DAN Al2O3 DOPED ZnO POWDERS DENGAN METODE PREKURSOR PROSES

Undergraduate Theses from JBPTITBPP / 2017-10-09 10:32:51
Oleh : MAYANG SERUNI (NIM 13704003), S1 - Material Engineering Study Programme
Dibuat : 2008, dengan 7 file

Keyword : Wide band gap semiconductor, Zinc oxide, Proses Prekursor

Material semikonduktor dengan wide band gap memegang peranan penting dalam kebutuhan komunikasi dan komputer saat ini. Aplikasi dari wide band gap material diantaranya adalah LED (Light Emmiting Diode) dan TCO (Transparent Conductive Oxide). Material yang banyak digunakan dalam pembuatan LED adalah Gallium Nitride dengan energi band gap sekitar 3,4 eV. Sedangkan dalam pembuatan TCO material yang banyak digunakan adalah Indium Oxide dengan energi band gap sekitar 3,6 eV. Walaupun performa dari kedua material tersebut baik namun harganya sangat mahal. Sehingga saat ini penelitian banyak diarahkan kepada material yang memiliki band gap yang moderate dengan harga yang lebih murah. Material alternatif yang saat ini banyak digunakan adalah Zinc Oxide (ZnO). Hal ini dikarenakan ZnO memiliki energi band gap sebesar 3,37 eV dan tersedia melimpah di alam sehingga harga terjangkau. Selain itu dalam bentuk thin filmnya ZnO bersifat transparan sehingga dapat pula diaplikasikan untuk pembuatan TCO. Pada penelitian ini dilakukan sintesis undoped ZnO powders dan Al2O3 doped ZnO powders dengan menggunakan metode proses prekursor. Metode proses prekursor ini menggunakan pulp lokal dengan jenis Acacia Mangium. Bahan dasar yang digunakan untuk membuat undoped ZnO powders dan Al2O3 doped ZnO powders adalah menggunakan Zinc sulfate heptahydrate dan Aluminum sulfate octahydrate. Perbandingan rasio yang digunakan antara Zinc sulfate heptahydrate dengan pulp adalah 1: 0,2. Temperatur pada proses yang digunakan untuk kalsinasi adalah 500oC dan 550oC. Proses heat treatment dilakukan pada temperatur 1000 oC. Persen mol doping divariasikan pada 2,5% mol dan 5% mol Al2O3. Karakterisasi yang dilakukan adalah menggunakan FT-IR, XRD, SEM dan EIS. Nilai konduktivitas optimum yang diperoleh adalah sebesar 2,75. 10-6 S/cm dengan menggunakan 2,5% mol Al2O3 pada temperatur kalsinasi 550oC.

Deskripsi Alternatif :

Wide band gap semiconductor materials have important influence in communication and computerization necessities. LED (Light Emitting Diode) and TCO (Transparent Conductive Oxide) are the example of wide band gap material application. For LED application, Gallium Nitride with band gap energy approximately 3,4 eV were used as the materials. Whereas Indium Oxide with band gap energy approximately 3,6 were used for TCO application. However both of these materials have good performance, it has high cost. Research for low cost materials with moderate band gap to replace Gallium Nitride and Indium Oxide were doing. ZnO was the alternative material to replace both of Gallium Nitride and Indium Oxide, because ZnO has band gap energy approximately 3,37 eV and available in great quantities in nature. Thin film ZnO has transparent properties for TCO application. Undoped ZnO powders and Al2O3 doped ZnO powder was synthesized by a precursor process at this research. Acacia mangium pulp was used as a precursor. Undoped ZnO powders and Al2O3 doped ZnO powder ware obtained from synthesized of Zinc sulfate heptahydrate dan Aluminum sulfate octahydrate. Ratio between Zinc sulfate heptahydrate and pulp were 1:0,2. The calcination temperature 500 oC and 550 oC were used. Heat treatment process was doing at 1000 oC. Doping percentage of Al2O3 were 2,5% mol and 5% mol. The powders were evaluated by FT-IR, XRD, SEM, and EIS. The optimum conductivity 2,75. 10-6 S/cm was obtained by using 2,5% mol Al2O3 doping at calcination temperature 550 oC.

Copyrights : Copyright Â(c) 2001 by ITB Central Library. Verbatim copying and distribution of this entire article is permitted by author in any medium, provided this notice is preserved.

Beri Komentar ?#(2) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
OrganisasiS
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Pembimbing: Dr. Ir. Bambang Sunendar, Editor: Vika A. Kovariansi

File PDF...