Path: Top > S2-Theses > Physics-FMIPA > 2001

FABRIKASI DIVAIS SEL SURYA p-i-n BERBASIS (myu)c-Si:H DENGAN TEKNIK VHF-PECVD

Master Theses from JBPTITBPP / 2017-09-27 14:40:53
Oleh : Ida Usman (NIM 20298013), S2 - Physics
Dibuat : 2001-03-00, dengan 7 file

Keyword : fabrikasi divais, sel surya
Kepala Subjek : Physics
Nomor Panggil (DDC) : T 621.312 44 USM

ABSTRAK:


Telah dideposisi lapisan tipis silikon mikrokristal ternidrogenasi (myuc-Si:H) dengan teknik VHF-PECVD (Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) pada rf (radio frequency) 70 MHz. Sebagai cumber gas digunakan gas silan (SiH4) 10% dalam hidrogen (H2). Upaya deposisi lapisan tipis gc-Si:H dilakukan melalui tahapan-tahapan optimasi parameter deposisi, yang meliputi optimasi temperatur substrat dan daya rf. Dari optimasi temperatur substrat pada daya rf 10 Watt, diperoleh lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dengan laju deposisi dan konduktivitas tertinggi pada temperatur substrat 270 derajat C. Lapisan tipis myu-Si:H diperoleh melalui optimasi daya rf pada temperatur substrat 270 derajat C, dengan laju deposisi dari 1,7 Aldetik sampai 2,72 Aldetik. Terbentuknya struktur mikrokristalin ditandai dengan adanya puncak-puncak difraksi spektrum XRD (X-ray Daction) pada sudut 2-theta sekitar 30 derajat dan 48 derajat masing-masing untuk orientasi kristal (111) dan (220), dengan ukuran butir kristalin antara 120-349 A. Informasi ini diperkuat dengan basil foto SEM (Scanning Electron Microscope) permukaan lapisan tipis myuc-Si:H tersebut, yang memperlihatkan kehadiran butiran-butiran mikrokristalin. Dari basil pengukuran konduktivitas diperoleh fotokonduktivitas tertinggi 7,14 x 10-4 S/cm untuk lapisan yang memiliki ukuran butir kristalin terbesar yakni lapisan tipis myuc-Si:H yang dideposisi pada daya rf 8 Watt. Hasil FTIR (Fourier Transform Infra-red) menunjukkan bahwa sifat absorpsi optik lapisan tipis myuc-Si:H Iebih rendah dibanding lapisan tipis a-Si:H, yang mengindikasikan bahwa secara kualitatif kandungan hidrogen lapisan tipis myuc-Si:H Iebih rendah dibanding lapisan tipis a-Si:H.


Lapisan tipis myuc-Si:H selanjutnya diaplikasikan sebagai lapisan-i divais sel surya p-i-n dengan variasi ketebalan antara 2000-6000 A, dengan ketebalan lapisan-p dan lapisan-n masing-masing 150 A dan 250 A. Hasil pengukuran karakteristik arus-tegangan (I-V) di bawah penyinaran dengan intensitas 26 mW/cm2 menunjukkan bahwa nilai Voc (open-circuit voltage) dan Isc (short-circuit current) tertinggi masing-masing 0,56 V dan 4,62 mA/cm2, diperoleh dari sel surya dengan ketebalan lapisan-i 3000 A Sel surya tersebut memperlihatkan prosentase peningkatan efisiensi sekitar 2,23 % setelah disinari selama 180 menit. Karakteristik tersebut Iebih stabil dibanding sel surya berbasis a-Si:H, yang memperlihatkan prosentase penurunan efisiensi sekitar 33,15 % setelah disinari selama 150 menit pada intensitas 19 mW/cm2.

Copyrights : Copyright (c) 2001 FMIPA ITB, Information Dissemination Right @ 2008 ITB Central Library, Jl. Ganesha 10 Bandung, 40132, Indonesia. Verbatim copying and distribution of this entire article is permitted by author in any medium, provided this notice is preserved.

Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
OrganisasiS
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Pembimbing: Toto Winata, Ph.D.


    Scan: Arnaz Driyastika M.


    (2008-01-15), Editor: driyastika

File PDF...