Path: Top > S1-Final Project > Physics-FMIPA > 2017

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK MATERIAL HEPTAZETHRENE TRIISOPROPYLSILYL (HZ-TIPS) PADA SUBSTRAT HIGH ORIENTED PYROLITIC GRAPHITE (HOPG)

JUDUL ABSTRAK TIDAK TERCANTUM DALAM BAHASA INGGRIS

Undergraduate Theses from JBPTITBPP / 2017-09-27 11:45:20
Oleh : FALAH FAKHRUDDIN (NIM : 10213082), S1 - Department of Physics
Dibuat : 2017, dengan 7 file

Keyword : Closed shell ground state,Organic material, Spectroscopy Ellipsometry, Triisopropylsilyl, Zethrene.

Heptazethrene Triisopropylsilyl (HZ-TIPS) merupakan senyawa turunan Zethreneyang memiliki tujuh cincin sextet benzenoid yang membentuk pola huruf Z, Heptazethrene ini memiliki keunikan pada kondisi keadaan dasarnya. Terdapat dua keadaan dasar yang dapat di miliki oleh heptazethrene yaitu quinoidal kulit tertutup dan biradikal kulit terbuka. Kedua tingkatan dasar ini dapat dihasilkan berdasarkan metode sintesis senyawa heptazethrene itu sendiri, heptazethrene dengan keadaan dasar quinoidal kulit tertutup merupakan struktur dengan keadaan dasar stabil yang kemudian dikenal sebagai Heptazethrene Triisopropylsilyl (HZ-TIPS). HZ-TIPS inilah yang akan dijadikan bahasan pada penelitian ini. Heptazethrene dengan quinodal kulit tertutup memiliki besar energi band gap sekitar 1.4 eV yang berada pada rentang panjang gelombang infra merah, hal ini membedakan dengan material organik pada umumnya yang memiliki energi band gap pada 1.5-3 eV yang merupakan rentang panjang gelombang UV-VIS. Sifat ini menjadikan HZ-TIPS sebagai kandidat bahan dasar untuk divais optoelektronik berdasarkan penyerapan infra merah. Pada studi ini dilakukan karakterisasi sifat optik dari material HZ-TIPS yang ditumbuhkan diatas substrat Highly Oriented Pyrolitic Graphite (HOPG) dengan menggunakan spektroskopi elipsometri untuk memperoleh koefisien dielektrik, berdasarkan sifat optik yang diperoleh menunjukan adanya interaksi hole elektron antara lapisan tipis dengan substrat. Hal ini ditinjau dengan membandingkannya dengan konstanta dielektrik pada lapisan tipis HZ-TIPS diatas substrat SiO2. Akibat transfer elektron yang diberikan oleh substrat menjadikan sifat dari lapisan tipis HZ-TIPS diatas substrat HOPG menjadi lebih konduktif. Sifat konduktif inilah yang dapat dimanfaatkan sehingga menjadikan sampel ini sebagai kandidiat komponen aktif untuk divais Organic Field Effect Transistor (OFET)

Deskripsi Alternatif :

Heptazethrene Triisopropylsilyl (HZ-TIPS) is a derivative compound from Zethrene, which has seven sextet benzenoid rings that form a pattern of the letter Z. Heptazethrene has a uniques in its ground state conditions. There are two ground state condition can be owned by heptazethrene, the first is quinoidal closed shell and the second is biradical open shell. Both of these ground states can be generated by the synthesis method of heptazethrene itself. Heptazethrene with ground state of quinoidal closed shell has a stable ground state, which become known as Heptazethrene triisopropylsilyl (HZ-TIPS). This compound is what will be a discussion on this research. HZ-TIPS has a band gap energy about 1.4 eV which is in the range of infrared wavelengths, this behavior is different from the other organic materials in general, which has 1.5- 3 eV energy band gap which is in the range of UV-VIS wavelengrhs. These properties made HZ-TIPS become as the base materials candidate for optoelectronic device based on the absorption of infrared wavelength. In this study will be carried out about the optical constants characterization of thin film HZ-TIPS, which has grown on Highly Oriented Pyrolitic Graphite (HOPG) substrate. For the characterization was using spectroscopy ellipsometry to obtain a dielectric coefficient which is a characteristic of the optical properties posessed by the material. The dielectric function that was obtained from thin film HZ-TIPS on HOPG shows the appearance of electron-hole interaction between substrate and the thin film. This matter has review with comparing the dielectric function between tin film HZ-TIPS on SiO2. The effect of transferred electron make the HZ-TIPS on HOPG bacome more conductive. This conductive properties make the material become the candidate as active layer component on Organic Field Effect Transistor (OFET) device.

Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
OrganisasiS
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Pembimbing : Dr. Eng Yudi Darma, Editor: Ratnasari

File PDF...