Path: TopS2-ThesesPhysics-FMIPA2000

Teknik wafer bonding dan etsa selektif dalam fabrikaaasi wafer soi

Master Theses from JBPTITBPP / 2017-09-27 14:40:50
Oleh : Yudi Darma
Dibuat : 2000-05-13, dengan 1 file

Keyword : Wafer bonding process, Soi wafer fabrication, eltran and smartcut methods

Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikaasi wafer soi khususnya dalam metoda eltran dan smartcut. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress>2x10pangkat5N/m2) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150oC. Disisi lain dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H2)2:H2SO4 (1:1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150oC(stress > 10 pangkat 5 N/m2). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30% untuk proses thinning pada suhu 80oC menghasilkan laju pengikisan sekitar 2,4 um/menit dan campuran HF:H2O2(1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikissan 0,1388 um/menit pada suhu ruang dan 0,27 um/menit pada suhu 100oC.

Deskripsi Alternatif :

Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikaasi wafer soi khususnya dalam metoda eltran dan smartcut. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress>2x10pangkat5N/m2) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150oC. Disisi lain dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H2)2:H2SO4 (1:1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150oC(stress > 10 pangkat 5 N/m2). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30% untuk proses thinning pada suhu 80oC menghasilkan laju pengikisan sekitar 2,4 um/menit dan campuran HF:H2O2(1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikissan 0,1388 um/menit pada suhu ruang dan 0,27 um/menit pada suhu 100oC.

Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
Organisasi
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Sukirno, MSc, Ph.D., Editor: