Path: TopS2-ThesesPhysics2000

Teknik wafer bonding dan etsa selektif dalam fabrikaaasi wafer soi

N/A

Master Theses from JBPTITBPP / 2001-04-05 ::00
Oleh : Yudi Darma
Dibuat : 2000-05-13, dengan 1 file

Keyword : Wafer bonding process, Soi wafer fabrication, eltran and smartcut methods
Sumber pengambilan dokumen : Theses Magister PhysicsT 621.381 52 DAR; 2000/2870

Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikaasi wafer soi khususnya dalam metoda eltran dan smartcut. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress>2x10pangkat5N/m2) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150oC. Disisi lain dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H2)2:H2SO4 (1:1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150oC(stress > 10 pangkat 5 N/m2). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30% untuk proses thinning pada suhu 80oC menghasilkan laju pengikisan sekitar 2,4 um/menit dan campuran HF:H2O2(1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikissan 0,1388 um/menit pada suhu ruang dan 0,27 um/menit pada suhu 100oC.

Deskripsi Alternatif :

Wafer bonding process haave been done to support SOI waafer fabrication especially in Eltran and Smartcut methods. The good quality of wafer bonding waas yield by using electrostatic forces (stress>2x10 pangkat 5 N/m2) with carbon electrodes that uses electrical potential around 24 V at 1150oC. On the other hand wafer bonding process can be done by produce O-H clusters that can be made in H22O2:H2SO4(1:1) mixture and continuing with heating treatment at 1150oC9stress>10 pangkat 5N/m2). Besides, thinning and selective etching are also important process in SOI fabrication. KOH 30% have been chosen to etch silicon layers and yield 2,4 um/minute etching rste st 80oC HF:H2O2(1:5) mixture have been used to selective etching in porous silicon and give 0,1388 um/minute etching rate at room temperature and 0,27 um/minute at 100oC.

Beri Komentar ?#(0) | Bookmark

PropertiNilai Properti
ID PublisherJBPTITBPP
Organisasi
Nama KontakUPT Perpustakaan ITB
AlamatJl. Ganesha 10
KotaBandung
DaerahJawa Barat
NegaraIndonesia
Telepon62-22-2509118, 2500089
Fax62-22-2500089
E-mail Administratordigilib@lib.itb.ac.id
E-mail CKOinfo@lib.itb.ac.id

Print ...

Kontributor...

  • Sukirno, MSc, Ph.D., Editor: